Calculation of the HF characteristics in high electron mobility transistors by considering capture and escape phenomena in the Monte Carlo technique

M. Abou-Khalil, Dominique Schreurs, Toshiaki Matsui et Ke Wu

Communication écrite (1997)

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Renseignements supplémentaires:	Nom historique du département: Département de génie électrique et de génie informatique
Département:	Département de génie électrique Département de génie informatique et génie logiciel
URL de PolyPublie:	https://publications.polymtl.ca/30737/
Nom de la conférence:	Asia-Pacific Microwave Conference (APMC 1997)
Lieu de la conférence:	Hong Kong
Date(s) de la conférence:	1997-12-02 - 1997-12-05
Maison d'édition:	Institute of Electrical and Electronics Engineers
DOI:	10.1109/apmc.1997.654637
URL officielle:	https://doi.org/10.1109/apmc.1997.654637
Date du dépôt:	18 avr. 2023 15:23
Dernière modification:	08 avr. 2025 02:21

Citer en APA 7:	Abou-Khalil, M., Schreurs, D., Matsui, T., & Wu, K. (décembre 1997). Calculation of the HF characteristics in high electron mobility transistors by considering capture and escape phenomena in the Monte Carlo technique [Communication écrite]. Asia-Pacific Microwave Conference (APMC 1997), Hong Kong. https://doi.org/10.1109/apmc.1997.654637
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