A self-consistent technique for the analysis of the temperature dependence of current-voltage and capacitance-voltage characteristics of a tunnel metal-insulator-semiconductor structure

P. Cova, A. Singh et Rémo A. Masut

Article de revue (1997)

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Département:	Département de génie physique
Centre de recherche:	GCM - Groupe de recherche en physique et technologie des couches minces
URL de PolyPublie:	https://publications.polymtl.ca/30558/
Titre de la revue:	Journal of Applied Physics (vol. 82, no 10)
Maison d'édition:	American Institute of Physics
DOI:	10.1063/1.366386
URL officielle:	https://doi.org/10.1063/1.366386
Date du dépôt:	18 avr. 2023 15:23
Dernière modification:	08 avr. 2025 02:21

Citer en APA 7:	Cova, P., Singh, A., & Masut, R. A. (1997). A self-consistent technique for the analysis of the temperature dependence of current-voltage and capacitance-voltage characteristics of a tunnel metal-insulator-semiconductor structure. Journal of Applied Physics, 82(10), 5217-5226. https://doi.org/10.1063/1.366386
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