A self-consistent technique for the analysis of the temperature dependence of current-voltage and capacitance-voltage characteristics of a tunnel metal-insulator-semiconductor structure

Cova, Pedro; Singh, A.; Masut, Rémo A.; Cova, Pedro; Singh, A.; Masut, Rémo A.

A self-consistent technique for the analysis of the temperature dependence of current-voltage and capacitance-voltage characteristics of a tunnel metal-insulator-semiconductor structure

Pedro Cova, A. Singh, Rémo A. Masut

Article de revue (1997)

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Département:

Département de génie physique

Unité de recherche:

GCM - Groupe de recherche en physique et technologie des couches minces

Adresse URL de PolyPublie:

https://publications.polymtl.ca/30558/

Titre de la revue :

Journal of Applied Physics ( vol. 82 , no 10 )

Maison d'édition:

American Institute of Physics

DOI:

10.1063/1.366386

URL officielle:

https://doi.org/10.1063/1.366386

OAI:

oai:publications.polymtl.ca:30558

ORCID

Date du dépôt:

18 avr. 2023 15:23

Dernière modification:

29 oct. 2026 11:12

Citer en APA 7:

Cova, P., Singh, A., & Masut, R. A. (1997). A self-consistent technique for the analysis of the temperature dependence of current-voltage and capacitance-voltage characteristics of a tunnel metal-insulator-semiconductor structure. Journal of Applied Physics, 82(10), 5217-5226. https://doi.org/10.1063/1.366386

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