P. Cova, A. Singh, A. Medina, Rémo A. Masut
Article de revue (1998)
Accéder à ce document
Lien externe
Ce document n'est pas archivé dans PolyPublie, mais peut être consulté chez l'éditeur officiel
Renseignements supplémentaires:
Nom historique du département: Département de génie physique et de génie des matériaux
Département:
Unité de recherche:
Adresse URL de PolyPublie:
Titre de la revue
:
Solid-State Electronics
(
vol.
42
,
no
4
)
Maison d'édition:
Elsevier
URL officielle:
OAI:
oai:publications.polymtl.ca:29752
ORCID
Date du dépôt:
18 avr. 2023 15:23
Dernière modification:
14 oct. 2026 13:07
Citer en APA 7:
Cova, P., Singh, A., Medina, A., & Masut, R. A. (1998). Effect of Doping on the Forward Current-Transport Mechanisms in a Metal-Insulator-Semiconductor Contact to InP:Zn Grown by Metal Organic Vapor Phase Epitaxy. Solid-State Electronics, 42(4), 477-485. https://doi.org/10.1016/s0038-1101%2897%2900250-5
Statistiques
Dimensions
