P. Cova, A. Singh, A. Medina et Rémo A. Masut
Article de revue (1998)
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| Renseignements supplémentaires: | Nom historique du département: Département de génie physique et de génie des matériaux |
|---|---|
| Département: | Département de génie physique |
| Centre de recherche: | GCM - Groupe de recherche en physique et technologie des couches minces |
| URL de PolyPublie: | https://publications.polymtl.ca/29752/ |
| Titre de la revue: | Solid-State Electronics (vol. 42, no 4) |
| Maison d'édition: | Elsevier |
| DOI: | 10.1016/s0038-1101(97)00250-5 |
| URL officielle: | https://doi.org/10.1016/s0038-1101%2897%2900250-5 |
| Date du dépôt: | 18 avr. 2023 15:23 |
| Dernière modification: | 25 sept. 2024 16:11 |
| Citer en APA 7: | Cova, P., Singh, A., Medina, A., & Masut, R. A. (1998). Effect of Doping on the Forward Current-Transport Mechanisms in a Metal-Insulator-Semiconductor Contact to InP:Zn Grown by Metal Organic Vapor Phase Epitaxy. Solid-State Electronics, 42(4), 477-485. https://doi.org/10.1016/s0038-1101%2897%2900250-5 |
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