Simultaneous Analysis of Current-Voltage and Capacitance- Voltage Characteristics of Metal-Insulator-Semiconductor Diodes With a High Mid-Gap Trap Density

P. Cova, A. Singh et Rémo A. Masut

Article de revue (1999)

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Renseignements supplémentaires:	Nom historique du département: Département de génie physique et de génie des matériaux
Département:	Département de génie physique
URL de PolyPublie:	https://publications.polymtl.ca/29022/
Titre de la revue:	Journal of Applied Physics (vol. 85, no 9)
Maison d'édition:	American Institute of Physics
DOI:	10.1063/1.370157
URL officielle:	https://doi.org/10.1063/1.370157
Date du dépôt:	18 avr. 2023 15:22
Dernière modification:	05 avr. 2024 11:17

Citer en APA 7:	Cova, P., Singh, A., & Masut, R. A. (1999). Simultaneous Analysis of Current-Voltage and Capacitance- Voltage Characteristics of Metal-Insulator-Semiconductor Diodes With a High Mid-Gap Trap Density. Journal of Applied Physics, 85(9), 6530-6538. https://doi.org/10.1063/1.370157
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