Simultaneous Analysis of Current-Voltage and Capacitance- Voltage Characteristics of Metal-Insulator-Semiconductor Diodes With a High Mid-Gap Trap Density

Cova, P.; Singh, A.; Masut, Rémo A.; Cova, P.; Singh, A.; Masut, Rémo A.

Simultaneous Analysis of Current-Voltage and Capacitance- Voltage Characteristics of Metal-Insulator-Semiconductor Diodes With a High Mid-Gap Trap Density

P. Cova, A. Singh, Rémo A. Masut

Article de revue (1999)

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Renseignements supplémentaires:

Nom historique du département: Département de génie physique et de génie des matériaux

Département:

Département de génie physique

Unité de recherche:

GCM - Groupe de recherche en physique et technologie des couches minces

Adresse URL de PolyPublie:

https://publications.polymtl.ca/29022/

Titre de la revue :

Journal of Applied Physics ( vol. 85 , no 9 )

Maison d'édition:

American Institute of Physics

DOI:

10.1063/1.370157

URL officielle:

https://doi.org/10.1063/1.370157

OAI:

oai:publications.polymtl.ca:29022

ORCID

Date du dépôt:

18 avr. 2023 15:22

Dernière modification:

14 oct. 2026 13:06

Citer en APA 7:

Cova, P., Singh, A., & Masut, R. A. (1999). Simultaneous Analysis of Current-Voltage and Capacitance- Voltage Characteristics of Metal-Insulator-Semiconductor Diodes With a High Mid-Gap Trap Density. Journal of Applied Physics, 85(9), 6530-6538. https://doi.org/10.1063/1.370157

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