P. Cova, A. Singh et Rémo A. Masut
Article de revue (1999)
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| Renseignements supplémentaires: | Nom historique du département: Département de génie physique et de génie des matériaux |
|---|---|
| Département: | Département de génie physique |
| Centre de recherche: | GCM - Groupe de recherche en physique et technologie des couches minces |
| URL de PolyPublie: | https://publications.polymtl.ca/29022/ |
| Titre de la revue: | Journal of Applied Physics (vol. 85, no 9) |
| Maison d'édition: | American Institute of Physics |
| DOI: | 10.1063/1.370157 |
| URL officielle: | https://doi.org/10.1063/1.370157 |
| Date du dépôt: | 18 avr. 2023 15:22 |
| Dernière modification: | 25 sept. 2024 16:10 |
| Citer en APA 7: | Cova, P., Singh, A., & Masut, R. A. (1999). Simultaneous Analysis of Current-Voltage and Capacitance- Voltage Characteristics of Metal-Insulator-Semiconductor Diodes With a High Mid-Gap Trap Density. Journal of Applied Physics, 85(9), 6530-6538. https://doi.org/10.1063/1.370157 |
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