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Temperature Distribution Over a Gaas Heterojunction Bipolar Transistor Measured by Fluorescent Microthermal Imaging

N. Boyer, B. Oliver, A. Hagley, D. P. Masson, Martine Simard-Normandin et Michel Meunier

Article de revue (2000)

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Renseignements supplémentaires: Nom historique du département: Département de génie physique et de génie des matériaux
Département: Département de génie physique
URL de PolyPublie: https://publications.polymtl.ca/28321/
Titre de la revue: Journal of vacuum science and technology. A, Vacuum, surfaces, and films (vol. 18, no 2)
Maison d'édition: American Vacuum Society
DOI: 10.1116/1.582173
URL officielle: https://doi.org/10.1116/1.582173
Date du dépôt: 18 avr. 2023 15:21
Dernière modification: 05 avr. 2024 11:16
Citer en APA 7: Boyer, N., Oliver, B., Hagley, A., Masson, D. P., Simard-Normandin, M., & Meunier, M. (2000). Temperature Distribution Over a Gaas Heterojunction Bipolar Transistor Measured by Fluorescent Microthermal Imaging. Journal of vacuum science and technology. A, Vacuum, surfaces, and films, 18(2), 754-756. https://doi.org/10.1116/1.582173

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