N. Boyer, B. Oliver, A. Hagley, D. P. Masson, Martine Simard-Normandin et Michel Meunier
Article de revue (2000)
Un lien externe est disponible pour ce documentRenseignements supplémentaires: | Nom historique du département: Département de génie physique et de génie des matériaux |
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Département: | Département de génie physique |
URL de PolyPublie: | https://publications.polymtl.ca/28321/ |
Titre de la revue: | Journal of vacuum science and technology. A, Vacuum, surfaces, and films (vol. 18, no 2) |
Maison d'édition: | American Vacuum Society |
DOI: | 10.1116/1.582173 |
URL officielle: | https://doi.org/10.1116/1.582173 |
Date du dépôt: | 18 avr. 2023 15:21 |
Dernière modification: | 25 sept. 2024 16:09 |
Citer en APA 7: | Boyer, N., Oliver, B., Hagley, A., Masson, D. P., Simard-Normandin, M., & Meunier, M. (2000). Temperature Distribution Over a Gaas Heterojunction Bipolar Transistor Measured by Fluorescent Microthermal Imaging. Journal of vacuum science and technology. A, Vacuum, surfaces, and films, 18(2), 754-756. https://doi.org/10.1116/1.582173 |
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