J.-S. Chun, Patrick Desjardins
, I. Petrov, J. E. Greene, C. Lavoie et C. Jr. Cabral
Article de revue (2001)
Un lien externe est disponible pour ce document
| Département: | Département de génie physique |
|---|---|
| URL de PolyPublie: | https://publications.polymtl.ca/27502/ |
| Titre de la revue: | Thin Solid Films (vol. 391, no 1) |
| Maison d'édition: | Elsevier |
| DOI: | 10.1016/s0040-6090(01)00938-5 |
| URL officielle: | https://doi.org/10.1016/s0040-6090%2801%2900938-5 |
| Date du dépôt: | 18 avr. 2023 15:21 |
| Dernière modification: | 05 avr. 2024 11:15 |
| Citer en APA 7: | Chun, J.-S., Desjardins, P., Petrov, I., Greene, J. E., Lavoie, C., & Cabral, C. J. (2001). Interfacial reaction pathways and kinetics during annealing of epitaxial Al(001)/TiN(001) model diffusion barrier systems. Thin Solid Films, 391(1), 69-80. https://doi.org/10.1016/s0040-6090%2801%2900938-5 |
|---|---|
Statistiques
Dimensions
Actions réservées au personnel
|
Afficher document |
