A. Tchebotareva, J. L. Brebner, S. Roorda, Patrick Desjardins
et C. W. White
Article de revue (2002)
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| Département: | Département de génie physique |
|---|---|
| URL de PolyPublie: | https://publications.polymtl.ca/26263/ |
| Titre de la revue: | Journal of Applied Physics (vol. 92, no 8) |
| Maison d'édition: | American Institute of Physics |
| DOI: | 10.1063/1.1507822 |
| URL officielle: | https://doi.org/10.1063/1.1507822 |
| Date du dépôt: | 18 avr. 2023 15:21 |
| Dernière modification: | 25 sept. 2024 16:06 |
| Citer en APA 7: | Tchebotareva, A., Brebner, J. L., Roorda, S., Desjardins, P., & White, C. W. (2002). Structural properties of InAs nanocrystals formed by sequential implantation of In and As ions in the Si (100) matrix. Journal of Applied Physics, 92(8), 4664-4671. https://doi.org/10.1063/1.1507822 |
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