K. A. Bratland, Y. L. Foo, Patrick Desjardins
, J. E. Greene
Article de revue (2003)
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Titre de la revue
:
Applied Physics Letters
(
vol.
82
,
no
24
)
Maison d'édition:
American Institute of Physics
DOI:
URL officielle:
OAI:
oai:publications.polymtl.ca:26058
ORCID
Date du dépôt:
18 avr. 2023 15:19
Dernière modification:
14 oct. 2026 13:01
Citer en APA 7:
Bratland, K. A., Foo, Y. L., Desjardins, P., & Greene, J. E. (2003). Sn-enhanced epitaxial thickness during low-temperature Ge(001) molecular beam epitaxy. Applied Physics Letters, 82(24), 4247-4247. https://doi.org/10.1063/1.1578712
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