K. A. Bratland, Y. L. Foo, Patrick Desjardins
et J. E. Greene
Article de revue (2003)
Un lien externe est disponible pour ce document
| Département: | Département de génie physique |
|---|---|
| URL de PolyPublie: | https://publications.polymtl.ca/26058/ |
| Titre de la revue: | Applied Physics Letters (vol. 82, no 24) |
| Maison d'édition: | American Institute of Physics |
| DOI: | 10.1063/1.1578712 |
| URL officielle: | https://doi.org/10.1063/1.1578712 |
| Date du dépôt: | 18 avr. 2023 15:19 |
| Dernière modification: | 08 avr. 2025 02:15 |
| Citer en APA 7: | Bratland, K. A., Foo, Y. L., Desjardins, P., & Greene, J. E. (2003). Sn-enhanced epitaxial thickness during low-temperature Ge(001) molecular beam epitaxy. Applied Physics Letters, 82(24), 4247-4247. https://doi.org/10.1063/1.1578712 |
|---|---|
Statistiques
Dimensions
Actions réservées au personnel
|
Afficher document |
