S. Hashemi, Mohamad Sawan et Yvon Savaria
Communication écrite (2004)
Un lien externe est disponible pour ce document| Département: | Département de génie électrique |
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| Centre de recherche: | Polystim - Laboratoire de neurotechnologie |
| ISBN: | 0780383222 |
| URL de PolyPublie: | https://publications.polymtl.ca/24984/ |
| Nom de la conférence: | 2nd Annual IEEE Northeast Workshop on Circuits and Systems (NEWCAS 2004) |
| Lieu de la conférence: | Montréal, Québec |
| Date(s) de la conférence: | 2004-06-20 - 2004-06-23 |
| Maison d'édition: | Institute of Electrical and Electronics Engineers |
| DOI: | 10.1109/newcas.2004.1359098 |
| URL officielle: | https://doi.org/10.1109/newcas.2004.1359098 |
| Date du dépôt: | 18 avr. 2023 15:19 |
| Dernière modification: | 27 sept. 2024 14:48 |
| Citer en APA 7: | Hashemi, S., Sawan, M., & Savaria, Y. (juin 2004). Characterization of Stress Induced Defects in Deep Sub-Micron MOSFETS [Communication écrite]. 2nd Annual IEEE Northeast Workshop on Circuits and Systems (NEWCAS 2004), Montréal, Québec. https://doi.org/10.1109/newcas.2004.1359098 |
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