Empirical Tight-Binding Calculations of the Electronic Structure of Dilute III-V-N Semiconductor Alloys

S. Turcotte, N. Shtinkov, Patrick Desjardins, Rémo A. Masut et R. Leonelli

Article de revue (2004)

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Département:	Département de génie physique
URL de PolyPublie:	https://publications.polymtl.ca/24552/
Titre de la revue:	Journal of vacuum science and technology. A, Vacuum, surfaces, and films (vol. 22, no 3)
Maison d'édition:	American Vacuum Society
DOI:	10.1116/1.1688361
URL officielle:	https://doi.org/10.1116/1.1688361
Date du dépôt:	18 avr. 2023 15:19
Dernière modification:	05 avr. 2024 11:10

Citer en APA 7:	Turcotte, S., Shtinkov, N., Desjardins, P., Masut, R. A., & Leonelli, R. (2004). Empirical Tight-Binding Calculations of the Electronic Structure of Dilute III-V-N Semiconductor Alloys. Journal of vacuum science and technology. A, Vacuum, surfaces, and films, 22(3), 776-780. https://doi.org/10.1116/1.1688361
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