Growth of vacuum evaporated ultraporous silicon studied with spectroscopic ellipsometry and scanning electron microscopy

K. Kaminska, A. Amassian, Ludvik Martinu et K. Robbie

Article de revue (2005)

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Département:	Département de génie physique
URL de PolyPublie:	https://publications.polymtl.ca/24008/
Titre de la revue:	Journal of Applied Physics (vol. 97, no 1)
Maison d'édition:	American Institute of Physics
DOI:	10.1063/1.1823029
URL officielle:	https://doi.org/10.1063/1.1823029
Date du dépôt:	18 avr. 2023 15:18
Dernière modification:	05 avr. 2024 11:09

Citer en APA 7:	Kaminska, K., Amassian, A., Martinu, L., & Robbie, K. (2005). Growth of vacuum evaporated ultraporous silicon studied with spectroscopic ellipsometry and scanning electron microscopy. Journal of Applied Physics, 97(1). https://doi.org/10.1063/1.1823029
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