Zhen Zhang, Bin Yang, Yu Zhu, Simon Gaudet, Steve Rossnagel, Andrew J. Kellock, Ahmet Ozcan, Conal Murray, Patrick Desjardins, Shi-Li Zhang, Jean Jordan-Sweet et Christian Lavoie
Article de revue (2010)
Un lien externe est disponible pour ce documentDépartement: | Département de génie physique |
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URL de PolyPublie: | https://publications.polymtl.ca/17404/ |
Titre de la revue: | Applied Physics Letters (vol. 97, no 25) |
Maison d'édition: | American Institute of Physics |
DOI: | 10.1063/1.3529459 |
URL officielle: | https://doi.org/10.1063/1.3529459 |
Date du dépôt: | 18 avr. 2023 15:14 |
Dernière modification: | 25 sept. 2024 15:55 |
Citer en APA 7: | Zhang, Z., Yang, B., Zhu, Y., Gaudet, S., Rossnagel, S., Kellock, A. J., Ozcan, A., Murray, C., Desjardins, P., Zhang, S.-L., Jordan-Sweet, J., & Lavoie, C. (2010). Exploitation of a self-limiting process for reproducible formation of ultrathin Ni1-xPtx silicide films. Applied Physics Letters, 97(25), 252108-252108. https://doi.org/10.1063/1.3529459 |
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