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Electrical characterization of annular through silicon vias for a reconfigurable wafer-sized circuit board

Mamadou D. Diop, Moufid Radji, Walder André, Yves Blaquière, Anas A. Hamoui et Ricardo Izquierdo

Communication écrite (2010)

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Département: Département de génie électrique
Centre de recherche: GR2M - Groupe de recherche en microélectronique et microsystèmes
URL de PolyPublie: https://publications.polymtl.ca/16977/
Nom de la conférence: IEEE 19th Conference on Electrical Performance of Electronic Packaging and Systems, EPEPS 2010
Lieu de la conférence: Austin, TX, United states
Date(s) de la conférence: 2010-10-25 - 2010-10-27
Maison d'édition: IEEE Computer Society
DOI: 10.1109/epeps.2010.5642596
URL officielle: https://doi.org/10.1109/epeps.2010.5642596
Date du dépôt: 18 avr. 2023 15:12
Dernière modification: 25 sept. 2024 15:54
Citer en APA 7: Diop, M. D., Radji, M., André, W., Blaquière, Y., Hamoui, A. A., & Izquierdo, R. (octobre 2010). Electrical characterization of annular through silicon vias for a reconfigurable wafer-sized circuit board [Communication écrite]. IEEE 19th Conference on Electrical Performance of Electronic Packaging and Systems, EPEPS 2010, Austin, TX, United states. https://doi.org/10.1109/epeps.2010.5642596

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