Mamadou D. Diop, Moufid Radji, Walder André, Yves Blaquière, Anas A. Hamoui et Ricardo Izquierdo
Communication écrite (2010)
Un lien externe est disponible pour ce documentDépartement: | Département de génie électrique |
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Centre de recherche: | GR2M - Groupe de recherche en microélectronique et microsystèmes |
URL de PolyPublie: | https://publications.polymtl.ca/16977/ |
Nom de la conférence: | IEEE 19th Conference on Electrical Performance of Electronic Packaging and Systems, EPEPS 2010 |
Lieu de la conférence: | Austin, TX, United states |
Date(s) de la conférence: | 2010-10-25 - 2010-10-27 |
Maison d'édition: | IEEE Computer Society |
DOI: | 10.1109/epeps.2010.5642596 |
URL officielle: | https://doi.org/10.1109/epeps.2010.5642596 |
Date du dépôt: | 18 avr. 2023 15:12 |
Dernière modification: | 25 sept. 2024 15:54 |
Citer en APA 7: | Diop, M. D., Radji, M., André, W., Blaquière, Y., Hamoui, A. A., & Izquierdo, R. (octobre 2010). Electrical characterization of annular through silicon vias for a reconfigurable wafer-sized circuit board [Communication écrite]. IEEE 19th Conference on Electrical Performance of Electronic Packaging and Systems, EPEPS 2010, Austin, TX, United states. https://doi.org/10.1109/epeps.2010.5642596 |
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