Fast atom beam-activated n-Si/n-GaAs wafer bonding with high interfacial transparency and electrical conductivity

Essig, Stephanie; Moutanabbir, Oussama; Wekkeli, A.; Nähme, H.; Oliva, E.; Bett, A. W.; Dimroth, F.; Essig, Stephanie; Moutanabbir, Oussama; Wekkeli, A.; Nähme, H.; Oliva, E.; Bett, A. W.; Dimroth, F.

Fast atom beam-activated n-Si/n-GaAs wafer bonding with high interfacial transparency and electrical conductivity

Stephanie Essig, Oussama Moutanabbir , A. Wekkeli, H. Nähme, E. Oliva, A. W. Bett, F. Dimroth

Article de revue (2013)

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Département:

Département de génie physique

Adresse URL de PolyPublie:

https://publications.polymtl.ca/13943/

Titre de la revue :

Journal of Applied Physics ( vol. 113 , no 20 )

Maison d'édition:

American Institute of Physics

DOI:

10.1063/1.4807905

URL officielle:

https://doi.org/10.1063/1.4807905

OAI:

oai:publications.polymtl.ca:13943

ORCID

Date du dépôt:

18 avr. 2023 15:09

Dernière modification:

14 oct. 2026 11:14

Citer en APA 7:

Essig, S., Moutanabbir, O., Wekkeli, A., Nähme, H., Oliva, E., Bett, A. W., & Dimroth, F. (2013). Fast atom beam-activated n-Si/n-GaAs wafer bonding with high interfacial transparency and electrical conductivity. Journal of Applied Physics, 113(20). https://doi.org/10.1063/1.4807905

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