Stephanie Essig, Oussama Moutanabbir
, A. Wekkeli, H. Nähme, E. Oliva, A. W. Bett et F. Dimroth
Article de revue (2013)
Un lien externe est disponible pour ce document
| Département: | Département de génie physique |
|---|---|
| URL de PolyPublie: | https://publications.polymtl.ca/13943/ |
| Titre de la revue: | Journal of Applied Physics (vol. 113, no 20) |
| Maison d'édition: | American Institute of Physics |
| DOI: | 10.1063/1.4807905 |
| URL officielle: | https://doi.org/10.1063/1.4807905 |
| Date du dépôt: | 18 avr. 2023 15:09 |
| Dernière modification: | 08 avr. 2025 01:41 |
| Citer en APA 7: | Essig, S., Moutanabbir, O., Wekkeli, A., Nähme, H., Oliva, E., Bett, A. W., & Dimroth, F. (2013). Fast atom beam-activated n-Si/n-GaAs wafer bonding with high interfacial transparency and electrical conductivity. Journal of Applied Physics, 113(20). https://doi.org/10.1063/1.4807905 |
|---|---|
Statistiques
Dimensions
Actions réservées au personnel
|
Afficher document |
