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Fast atom beam-activated n-Si/n-GaAs wafer bonding with high interfacial transparency and electrical conductivity

Stephanie Essig, Oussama Moutanabbir, A. Wekkeli, H. Nahme, E. Oliva, A. W. Bett et F. Dimroth

Article de revue (2013)

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Département: Département de génie physique
URL de PolyPublie: https://publications.polymtl.ca/13943/
Titre de la revue: Journal of Applied Physics (vol. 113, no 20)
Maison d'édition: American Institute of Physics
DOI: 10.1063/1.4807905
URL officielle: https://doi.org/10.1063/1.4807905
Date du dépôt: 18 avr. 2023 15:09
Dernière modification: 25 sept. 2024 15:51
Citer en APA 7: Essig, S., Moutanabbir, O., Wekkeli, A., Nahme, H., Oliva, E., Bett, A. W., & Dimroth, F. (2013). Fast atom beam-activated n-Si/n-GaAs wafer bonding with high interfacial transparency and electrical conductivity. Journal of Applied Physics, 113(20). https://doi.org/10.1063/1.4807905

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