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Efficient premature edge breakdown prevention technique for SiAPD fabrication using standard CMOS process

E. Kamrani, Frédéric Lesage et Mohamad Sawan

Article de revue (2013)

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Département: Département de génie électrique
Centre de recherche: GR2M - Groupe de recherche en microélectronique et microsystèmes
URL de PolyPublie: https://publications.polymtl.ca/13690/
Titre de la revue: IOP International Journal of Semiconductor Science and Technology (vol. 28, no 4)
Maison d'édition: IOP Publishing
DOI: 10.1088/0268-1242/28/4/045008
URL officielle: https://doi.org/10.1088/0268-1242/28%2f4%2f045008
Date du dépôt: 18 avr. 2023 15:09
Dernière modification: 19 oct. 2023 18:36
Citer en APA 7: Kamrani, E., Lesage, F., & Sawan, M. (2013). Efficient premature edge breakdown prevention technique for SiAPD fabrication using standard CMOS process. IOP International Journal of Semiconductor Science and Technology, 28(4). https://doi.org/10.1088/0268-1242/28%2f4%2f045008

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