Efficient premature edge breakdown prevention technique for SiAPD fabrication using standard CMOS process

E. Kamrani, Frédéric Lesage, Mohamad Sawan

Article de revue (2013)

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Département:
Département de génie électrique
Unité de recherche:
GR2M - Groupe de recherche en microélectronique et microsystèmes
Adresse URL de PolyPublie:
https://publications.polymtl.ca/13690/
Titre de la revue :
IOP International Journal of Semiconductor Science and Technology ( vol. 28 , no 4 )
Maison d'édition:
IOP Publishing
DOI:
10.1088/0268-1242/28/4/045008
URL officielle:
https://doi.org/10.1088/0268-1242/28/4/045008
OAI:
oai:publications.polymtl.ca:13690
ORCID
Date du dépôt:
18 avr. 2023 15:09
Dernière modification:
14 oct. 2026 11:14
Citer en APA 7:
Kamrani, E., Lesage, F., & Sawan, M. (2013). Efficient premature edge breakdown prevention technique for SiAPD fabrication using standard CMOS process. IOP International Journal of Semiconductor Science and Technology, 28(4). https://doi.org/10.1088/0268-1242/28/4/045008

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