Efficient premature edge breakdown prevention technique for SiAPD fabrication using standard CMOS process

E. Kamrani, Frédéric Lesage et Mohamad Sawan

Article de revue (2013)

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Département:	Département de génie électrique
Centre de recherche:	GR2M - Groupe de recherche en microélectronique et microsystèmes
URL de PolyPublie:	https://publications.polymtl.ca/13690/
Titre de la revue:	IOP International Journal of Semiconductor Science and Technology (vol. 28, no 4)
Maison d'édition:	IOP Publishing
DOI:	10.1088/0268-1242/28/4/045008
URL officielle:	https://doi.org/10.1088/0268-1242/28/4/045008
Date du dépôt:	18 avr. 2023 15:09
Dernière modification:	25 sept. 2024 15:50

Citer en APA 7:	Kamrani, E., Lesage, F., & Sawan, M. (2013). Efficient premature edge breakdown prevention technique for SiAPD fabrication using standard CMOS process. IOP International Journal of Semiconductor Science and Technology, 28(4). https://doi.org/10.1088/0268-1242/28/4/045008
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