Anis Attiaoui, Oussama Moutanabbir
Article de revue (2014)
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Département:
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Titre de la revue
:
Journal of Applied Physics
(
vol.
116
,
no
6
)
Maison d'édition:
American Institute of Physics
DOI:
URL officielle:
OAI:
oai:publications.polymtl.ca:12815
ORCID
Date du dépôt:
18 avr. 2023 15:07
Dernière modification:
14 oct. 2026 11:13
Citer en APA 7:
Attiaoui, A., & Moutanabbir, O. (2014). Indirect-to-direct band gap transition in relaxed and strained Ge 1-x-ySixSny ternary alloys. Journal of Applied Physics, 116(6). https://doi.org/10.1063/1.4889926
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