<  Retour au portail Polytechnique Montréal

Indirect-to-direct band gap transition in relaxed and strained Ge 1-x-ySixSny ternary alloys

Anis Attiaoui et Oussama Moutanabbir

Article de revue (2014)

Un lien externe est disponible pour ce document
Département: Département de génie physique
URL de PolyPublie: https://publications.polymtl.ca/12815/
Titre de la revue: Journal of Applied Physics (vol. 116, no 6)
Maison d'édition: American Institute of Physics
DOI: 10.1063/1.4889926
URL officielle: https://doi.org/10.1063/1.4889926
Date du dépôt: 18 avr. 2023 15:07
Dernière modification: 25 sept. 2024 15:49
Citer en APA 7: Attiaoui, A., & Moutanabbir, O. (2014). Indirect-to-direct band gap transition in relaxed and strained Ge 1-x-ySixSny ternary alloys. Journal of Applied Physics, 116(6). https://doi.org/10.1063/1.4889926

Statistiques

Dimensions

Actions réservées au personnel

Afficher document Afficher document