Indirect-to-direct band gap transition in relaxed and strained Ge 1-x-ySixSny ternary alloys

Anis Attiaoui et Oussama Moutanabbir

Article de revue (2014)

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Département:	Département de génie physique
URL de PolyPublie:	https://publications.polymtl.ca/12815/
Titre de la revue:	Journal of Applied Physics (vol. 116, no 6)
Maison d'édition:	American Institute of Physics
DOI:	10.1063/1.4889926
URL officielle:	https://doi.org/10.1063/1.4889926
Date du dépôt:	18 avr. 2023 15:07
Dernière modification:	25 sept. 2024 15:49

Citer en APA 7:	Attiaoui, A., & Moutanabbir, O. (2014). Indirect-to-direct band gap transition in relaxed and strained Ge 1-x-ySixSny ternary alloys. Journal of Applied Physics, 116(6). https://doi.org/10.1063/1.4889926
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