Anis Attiaoui, Oussama Moutanabbir
Communication écrite (2014)
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Département:
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Nom de la conférence:
6th SiGe, Ge, and Related Compounds: Materials, Processing and Devices Symposium - 2014 ECS and SMEQ Joint International Meeting
Lieu de la conférence:
Cancun, Mexico
Date(s) de la conférence:
2014-10-05 - 2014-10-09
Maison d'édition:
Electrochemical Society
URL officielle:
OAI:
oai:publications.polymtl.ca:12814
ORCID
Date du dépôt:
18 avr. 2023 15:07
Dernière modification:
14 oct. 2026 11:13
Citer en APA 7:
Attiaoui, A., & Moutanabbir, O. (octobre 2014). Optical and electronic properties of GeSn and GeSiSn heterostructures and nanowires [Communication écrite]. 6th SiGe, Ge, and Related Compounds: Materials, Processing and Devices Symposium - 2014 ECS and SMEQ Joint International Meeting, Cancun, Mexico. https://doi.org/10.1149/06406.0869ecst
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