Anis Attiaoui et Oussama Moutanabbir
Communication écrite (2014)
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| Département: | Département de génie physique |
|---|---|
| URL de PolyPublie: | https://publications.polymtl.ca/12814/ |
| Nom de la conférence: | 6th SiGe, Ge, and Related Compounds: Materials, Processing and Devices Symposium - 2014 ECS and SMEQ Joint International Meeting |
| Lieu de la conférence: | Cancun, Mexico |
| Date(s) de la conférence: | 2014-10-05 - 2014-10-09 |
| Maison d'édition: | Electrochemical Society |
| DOI: | 10.1149/06406.0869ecst |
| URL officielle: | https://doi.org/10.1149/06406.0869ecst |
| Date du dépôt: | 18 avr. 2023 15:07 |
| Dernière modification: | 25 sept. 2024 15:49 |
| Citer en APA 7: | Attiaoui, A., & Moutanabbir, O. (octobre 2014). Optical and electronic properties of GeSn and GeSiSn heterostructures and nanowires [Communication écrite]. 6th SiGe, Ge, and Related Compounds: Materials, Processing and Devices Symposium - 2014 ECS and SMEQ Joint International Meeting, Cancun, Mexico. https://doi.org/10.1149/06406.0869ecst |
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