Tailoring the growth rate and surface facet for synthesis of high-quality continuous graphene films from CH₄ at 750 °C via chemical vapor deposition

Jacobberger, Robert M.; Lévesque, Pierre L.; Xu, Feng; Wu, Meng-Yin; Choubak, Saman; Desjardins, Patrick; Martel, Richard; Arnold, Michael S.; Jacobberger, Robert M.; Lévesque, Pierre L.; Xu, Feng; Wu, Meng-Yin; Choubak, Saman; Desjardins, Patrick; Martel, Richard; Arnold, Michael S.

Tailoring the growth rate and surface facet for synthesis of high-quality continuous graphene films from CH₄ at 750 °C via chemical vapor deposition

Robert M. Jacobberger, Pierre L. Lévesque, Feng Xu, Meng-Yin Wu, Saman Choubak, Patrick Desjardins , Richard Martel, Michael S. Arnold

Article de revue (2015)

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Département:

Département de génie physique

Adresse URL de PolyPublie:

https://publications.polymtl.ca/11138/

Titre de la revue :

Journal of Physical Chemistry C ( vol. 119 , no 21 )

Maison d'édition:

American Chemical Society (ACS)

DOI:

10.1021/jp5116355

URL officielle:

https://doi.org/10.1021/jp5116355

OAI:

oai:publications.polymtl.ca:11138

ORCID

Date du dépôt:

18 avr. 2023 15:07

Dernière modification:

14 oct. 2026 11:10

Citer en APA 7:

Jacobberger, R. M., Lévesque, P. L., Xu, F., Wu, M.-Y., Choubak, S., Desjardins, P., Martel, R., & Arnold, M. S. (2015). Tailoring the growth rate and surface facet for synthesis of high-quality continuous graphene films from CH₄ at 750 °C via chemical vapor deposition. Journal of Physical Chemistry C, 119(21), 11516-11523. https://doi.org/10.1021/jp5116355

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