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Tailoring the growth rate and surface facet for synthesis of high-quality continuous graphene films from CH₄ at 750 °C via chemical vapor deposition

Robert M. Jacobberger, Pierre L. Levesque, Feng Xu, Meng-Yin Wu, Saman Choubak, Patrick Desjardins, Richard Martel et Michael S. Arnold

Article de revue (2015)

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Département: Département de génie physique
URL de PolyPublie: https://publications.polymtl.ca/11138/
Titre de la revue: Journal of Physical Chemistry C (vol. 119, no 21)
Maison d'édition: American Chemical Society (ACS)
DOI: 10.1021/jp5116355
URL officielle: https://doi.org/10.1021/jp5116355
Date du dépôt: 18 avr. 2023 15:07
Dernière modification: 25 sept. 2024 15:47
Citer en APA 7: Jacobberger, R. M., Levesque, P. L., Xu, F., Wu, M.-Y., Choubak, S., Desjardins, P., Martel, R., & Arnold, M. S. (2015). Tailoring the growth rate and surface facet for synthesis of high-quality continuous graphene films from CH₄ at 750 °C via chemical vapor deposition. Journal of Physical Chemistry C, 119(21), 11516-11523. https://doi.org/10.1021/jp5116355

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