Documents dont l'auteur est "Nicolas, Jérôme"

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2022

Assali, S., Koelling, S., Abboud, Z., Nicolas, J., Attiaoui, A., & Moutanabbir, O. (2022). 500-period epitaxial Ge/Si0.18Ge0.82 multi-quantum wells on silicon. Journal of Applied Physics, 132(17), 175304 (9 pages). Lien externe

2020

Cousineau, É., Mukherjee, S., Simone, A., Nicolas, J., & Moutanabbir, O. (2020). Lattice Vibrational Modes in Epitaxial Metastable Germanium-Tin Semiconductors. ECS Meeting Abstracts, MA2020-01(22), 1320-1320. Lien externe

Assali, S., Attiaoui, A., Abdi, S., Atalla, M., Bouthillier, É., Luo, L., Groell, L., Nicolas, J., Mukherjee, S., Koelling, S., & Moutanabbir, O. (février 2020). SWIR and MIR emission and detection using an all-group IV platform [Communication écrite]. SPIE OPTO 2020, San Francisco, CA, USA. Lien externe

2019

Moutanabbir, O., Attiaoui, A., Bouthillier, É., Del Vecchio, P., Kumar, A., Nicolas, J., Mukherjee, S., & Assali, S. (mai 2019). Germanium-tin semiconductors : a versatile silicon-compatible platform [Communication écrite]. VII Semiconductor Technology for Ultra Large Scale Integrated Circuits and Thin Film Transistors, Kyoto, Japan. Lien externe

Moutanabbir, O., Attiaoui, A., Bouthillier, É., Del Vecchio, P., Kumar, A., Nicolas, J., Mukherjee, S., & Assali, S. (mai 2019). Germanium-tin semiconductors: A versatile silicon-compatible platform [Résumé]. Semiconductor Technology for Ultra Large Scale Integrated Circuits and Thin Film Transistors VII (ULSIC VS TFT 7), Kyoto, Japan (1 page). Lien externe

Liste produite: Sat Oct 10 03:13:41 2026 EDT.