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Documents dont l'auteur est "Vailionis, A."

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Nombre de documents: 3

2002

Spila, T., Desjardins, P., Vailionis, A., Kim, H., Taylor, N., Cahill, D. G., Greene, J. E., Guillon, S., & Masut, R. A. (2002). Hydrogen-mediated quenching of strain-induced surface roughening during gas-source molecular beam epitaxy of fully-coherent Si₀.₇ Ge₀.₃ layers on Si(001). Journal of Applied Physics, 91(6), 3579-3588. Lien externe

2001

Kodambaka, S., Petrova, V., Vailionis, A., Desjardins, P., Cahill, D. G., Petrov, I., & Greene, J. E. (2001). TiN(001) and TiN(111) island coarsening kinetics: In-situ scanning tunneling microscopy studies. Thin Solid Films, 392(2), 164-168. Lien externe

2000

Vailionis, A., Cho, B., Glass, G., Desjardins, P., Cahill, D. G., & Greene, J. E. (2000). Pathway for the strain-driven two-dimensional to three-dimensional transition during growth of Ge on Si(001). Physical Review Letters, 85(17), 3672-3675. Lien externe

Liste produite: Thu Nov 21 05:20:07 2024 EST.