Documents dont l'auteur est "Kölling, Sebastian"

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A

Assali, S., Albani, M., Bergamaschini, R., Verheijen, M., Li, A., Kölling, S., Gagliano, L., Bakkers, E. P. A. M., & Miglio, L. (2019). Strain engineering in Ge/GeSn core/shell nanowires. Applied Physics Letters, 115(11), 5 pages. Lien externe

B

Bergamaschini, R., Plantenga, R. C., Albani, M., Scalise, E., Ren, Y., Hauge, H. I. T., Kölling, S., Montalenti, F., Bakkers, E. P. A. M., Verheijen, M. A., & Miglio, L. (2021). Prismatic Ge-rich inclusions in the hexagonal SiGe shell of GaP-Si-SiGe nanowires by controlled faceting. Nanoscale, 13(20), 9436-9445. Lien externe

F

Fadaly, E. M. T., Dijkstra, A., Suckert, J. R., Ziss, D., van Tilburg, M. A. J., Mao, C., Ren, Y., van Lange, V. T., Korzun, K., Kölling, S., Verheijen, M. A., Busse, D., Rödl, C., Furthmüller, J., Bechstedt, F., Stangl, J., Finley, J. J., Botti, S., Haverkort, J. E. M., & Bakkers, E. P. A. M. (2020). Direct-bandgap emission from hexagonal Ge and SiGe alloys. Nature, 580(7802), 205-209. Lien externe

K

Kölling, S., Plantenga, R. C., Hauge, H. I. T., Ren, Y., Li, A., Verheijen, M. A., Conesa Boj, S., Assali, S., Koenraad, P. M., & Bakkers, E. P. A. M. (octobre 2016). Impurity and defect monitoring in hexagonal Si and SiGe nanocrystals [Communication écrite]. Symposium on SiGe, Ge, and Related Materials: Materials, Processing, and Devices 7 (PRiME 2016)/230th ECS Meeting, Honolulu, HI. Publié dans ECS Transactions, 75(8). Lien externe

R

Rossi, M., van Schijndel, T. A. J., Lueb, P., Badawy, G., Jung, J., Peeters, W. H. J., Kölling, S., Moutanabbir, O., Verheijen, M. A., & Bakkers, E. P. A. M. (2024). Stemless InSb nanowire networks and nanoflakes grown on InP. Nanotechnology, 35(41), 415602 (11 pages). Disponible