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Documents dont l'auteur est "Hartmann, J. M."

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Article de revue

Cardoux, C., Pauc, N., Casiez, L., Kroemer, E., Chrétien, J., Bard, A., Frauenrath, M., Calvo, V., Hartmann, J. M., Coudurier, N., Rodriguez, P., Koelling, S., Moutanabbir, O., Isella, G., Widiez, J., Gravrand, O., Chelnokov, A., & Reboud, V. (2026). Enhanced Detectivity of Ge₀.₈₅₄ Sn₀.₁₄₆ Mid-Infrared Photodiodes by Layer Transfer. ACS Photonics. Lien externe

Attiaoui, A., Wirth, S., Blanchard-Dionne, A.-P., Meunier, M., Hartmann, J. M., Buca, D., & Moutanabbir, O. (2018). Extreme IR absorption in group IV-SiGeSn core-shell nanowires. Journal of Applied Physics, 123(22), 13 pages. Lien externe

Mukherjee, S., Kodali, N., Isheim, D., Wirths, S., Hartmann, J. M., Buca, D., Seidman, D. N., & Moutanabbir, O. (2017). Short-range atomic ordering in nonequilibrium silicon-germanium-tin semiconductors. Physical Review B, 95(16), 5 pages. Lien externe

Affiche

Fournier-Lupien, J.-H., Chagnon, D., Lévesque, P., Wirths, S., Pippel, E., Mussler, G., Hartmann, J. M., Mantl, S., Desjardins, P., Buca, D., & Moutanabbir, O. (mai 2015). In situ studies of germanium-tin and silicon-germanium-tin dynamics of phase separation [Affiche]. 9th International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures (ICSI 2015), Montréal, Québec. Non disponible

Liste produite: Sun Jun 14 05:43:48 2026 EDT.