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Documents dont l'auteur est "Hartmann, J. M."

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Nombre de documents: 4

Cardoux, C., Pauc, N., Casiez, L., Kroemer, E., Chrétien, J., Bard, A., Frauenrath, M., Calvo, V., Hartmann, J. M., Coudurier, N., Rodriguez, P., Koelling, S., Moutanabbir, O., Isella, G., Widiez, J., Gravrand, O., Chelnokov, A., & Reboud, V. (2026). Enhanced Detectivity of Ge₀.₈₅₄ Sn₀.₁₄₆ Mid-Infrared Photodiodes by Layer Transfer. ACS Photonics. Lien externe

Attiaoui, A., Wirth, S., Blanchard-Dionne, A.-P., Meunier, M., Hartmann, J. M., Buca, D., & Moutanabbir, O. (2018). Extreme IR absorption in group IV-SiGeSn core-shell nanowires. Journal of Applied Physics, 123(22), 13 pages. Lien externe

Mukherjee, S., Kodali, N., Isheim, D., Wirths, S., Hartmann, J. M., Buca, D., Seidman, D. N., & Moutanabbir, O. (2017). Short-range atomic ordering in nonequilibrium silicon-germanium-tin semiconductors. Physical Review B, 95(16), 5 pages. Lien externe

Fournier-Lupien, J.-H., Chagnon, D., Lévesque, P., Wirths, S., Pippel, E., Mussler, G., Hartmann, J. M., Mantl, S., Desjardins, P., Buca, D., & Moutanabbir, O. (mai 2015). In situ studies of germanium-tin and silicon-germanium-tin dynamics of phase separation [Affiche]. 9th International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures (ICSI 2015), Montréal, Québec. Non disponible

Liste produite: Sun Jun 14 05:43:48 2026 EDT.