Monter d'un niveau |
Ce graphique trace les liens entre tous les collaborateurs des publications de {} figurant sur cette page.
Chaque lien représente une collaboration sur la même publication. L'épaisseur du lien représente le nombre de collaborations.
Utilisez la molette de la souris ou les gestes de défilement pour zoomer à l'intérieur du graphique.
Vous pouvez cliquer sur les noeuds et les liens pour les mettre en surbrillance et déplacer les noeuds en les glissant.
Enfoncez la touche "Ctrl" ou la touche "⌘" en cliquant sur les noeuds pour ouvrir la liste des publications de cette personne.
Park, S. Y., D'Arcy-Gall, J., Gall, D., Kim, Y. W., Desjardins, P., & Greene, J. E. (2002). C Lattice Site Distributions in Metastable Ge₁₋yCy Alloys Grown on Ge(001) by Molecular-Beam Epitaxy. Journal of Applied Physics, 91(6), 3644-3652. Lien externe
Park, S. Y., D'Arcy-Gall, J., Gall, D., Soares, J. A. N. T., Kim, Y.-W., Kim, H., Desjardins, P., Greene, J. E., & Bishop, S. G. (2002). Carbon Incorporation Pathways and Lattice Sites in Si₁₋yCy Alloys Grown on Si(001) by Molecular-Beam Epitaxy. Journal of Applied Physics, 91(9), 5716-5727. Lien externe
Gall, D., Städele, M., Jarrendahl, K., Petrov, I., Desjardins, P., Haasch, R. T., Lee, T.-Y., & Greene, J. E. (2001). Electronic structure of ScN determined using optical spectroscopy, photoemission, andabinitio calculations. Physical review, 63(12). Lien externe
Shin, C.-S., Gall, D., Kim, Y.-W., Desjardins, P., Petrov, I., Greene, J. E., Odén, M., & Hultman, L. (2001). Epitaxial NaCl-structure delta-TaNx(001): electronic transport properties, elastic modulus, and hardness vs. N/Ta ratio. Journal of Applied Physics, 90(6), 2879-2895. Lien externe
D'Arcy-Gall, J., Gall, D., Petrov, I., Desjardins, P., & Greene, J. E. (2001). Quantitative C lattice site distributions in epitaxial Ge1-yCy/Ge(001) layers. Journal of Applied Physics, 90(8), 3910-3918. Lien externe
D'Arcy-Gall, J., Gall, D., Desjardins, P., & Petrov, I. (2000). Role of fast sputtered particles during sputter deposition: growth of epitaxial Ge0.99C0.01/Ge(001). Physical review. B, Condensed matter, 62(16), 11203-11208. Lien externe