 | Monter d'un niveau |
Réseau de collaborationCe graphique trace les liens entre tous les collaborateurs des publications de {} figurant sur cette page.
Chaque lien représente une collaboration sur la même publication. L'épaisseur du lien représente le nombre de collaborations.
Utilisez la molette de la souris ou les gestes de défilement pour zoomer à l'intérieur du graphique.
Vous pouvez cliquer sur les noeuds et les liens pour les mettre en surbrillance et déplacer les noeuds en les glissant.
Enfoncez la touche "Ctrl" ou la touche "⌘" en cliquant sur les noeuds pour ouvrir la liste des publications de cette personne.
Carnio, B. N., Shahriar, B., Attiaoui, A., Atalla, M. R. M., Assali, S., Moutanabbir, O., & Elezzabi, A. Y. (2024). Probing the infrared properties of a p-doped Ge\(_{0.938}\)Sn\(_{0.062}\) thin film via polarization-dependent FTIR spectroscopy. Applied Physics Letters, 124(7), 072102 (6 pages). Lien externe
Atalla, M. R. M., Assali, S., Koelling, S., Attiaoui, A., & Moutanabbir, O. (2023). Dark current in monolithic extended-SWIR GeSn PIN photodetectors. Applied Physics Letters, 122(3), 031103 (6 pages). Lien externe
Assali, S., Koelling, S., Abboud, Z., Nicolas, J., Attiaoui, A., & Moutanabbir, O. (2022). 500-period epitaxial Ge/Si0.18Ge0.82 multi-quantum wells on silicon. Journal of Applied Physics, 132(17), 175304 (9 pages). Lien externe
Carnio, B. N., Attiaoui, A., Assali, S., Moutanabbir, O., & Elezzabi, A. Y. (juillet 2022). Extracting the linear terahertz properties of thin films using complementary transmission and reflection measurements: Applied to GeSn thin films [Communication écrite]. International Conference on Ultrafast Phenomena (UP) 2022, Montreal, Quebec. Lien externe
Assali, S., Attiaoui, A., Koelling, S., Atalla, M. R. M., Kumar, A., Nicolas, J., Chowdhury, F. A., Lemieux-Leduc, C., & Moutanabbir, O. (2022). Micrometer-thick, atomically random Si0.06Ge0.90Sn0.04 for silicon-integrated infrared optoelectronics. Journal of Applied Physics, 132(19), 11 pages. Lien externe
Grange, T., Mukherjee, S., Capellini, G., Montanari, M., Persichetti, L., Di Gaspare, L., Birner, S., Attiaoui, A., Moutanabbir, O., Virgilio, M., & De Seta, M. (septembre 2022). Microscopic modeling of interface roughness scattering and application to the simulation of quantum cascade lasers [Communication écrite]. International Conference on Numerical Simulation of Optoelectronic Devices (NUSOD 2022), Turin, Italy. Lien externe
Attiaoui, A., Bouthillier, E., Daligou, G., Kumar, A., Assali, S., & Moutanabbir, O. (2021). Extended Short-Wave Infrared Absorption in Group-IV Nanowire Arrays. Physical Review Applied, 15(1), 014034 (11 pages). Lien externe
Grange, T., Mukherjee, S., Capellini, G., Montanari, M., Persichetti, L., Di Gaspare, L., Birner, S., Attiaoui, A., Moutanabbir, O., Virgilio, M., & De Seta, M. (2020). Atomic-Scale Insights into Semiconductor Heterostructures: From Experimental Three-Dimensional Analysis of the Interface to a Generalized Theory of Interfacial Roughness Scattering. Physical Review Applied, 13(4), 14 pages. Lien externe
Mukherjee, S., Attiaoui, A., Watanabe, H., Isheim, D., Seidman, D. N., & Moutanabbir, O. (mai 2015). 3D atom-by-atom mapping of emerging group IV semiconductors [Affiche]. 9th International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures (ICSI 2015), Montréal, Québec. Non disponible
