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Documents dont l'auteur est "Éthier-Majcher, G."

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E

Éthier-Majcher, G., St-Jean, P., & Francoeur, S. (2015). Light- and heavy-hole trions bound to isoelectronic centers. Physical Review B, 92(15), 8 pages. Lien externe

M

Marcet, S., Ouellet-Plamondon, C., Éthier-Majcher, G., Saint-Jean, P., André, R., Klem, J. F., & Francoeur, S. (2010). Charged excitons and biexcitons bound to isoelectronic centers. Physical Review. B, Condensed Matter and Materials Physics, 82(23), 235311-235311. Lien externe

S

St-Jean, P., Éthier-Majcher, G., André, R., & Francoeur, S. (2016). High-fidelity and ultrafast initialization of a hole-spin bound to a Te isoelectronic center in ZnSe. Physical Review Letters, 117(16), 6 pages. Lien externe

St-Jean, P., Éthier-Majcher, G., & Francoeur, S. (2015). Dynamics of excitons bound to nitrogen isoelectronic centers in GaAs. Physical Review B, 91(11), 115201 (11 pages). Lien externe

Liste produite: Fri Dec 5 03:34:26 2025 EST.