P. St-Jean, G. Ethier-Majcher et Sébastien Francoeur
Article de revue (2015)
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| Département: | Département de génie physique |
|---|---|
| URL de PolyPublie: | https://publications.polymtl.ca/34352/ |
| Titre de la revue: | Physical Review B (vol. 91, no 11) |
| Maison d'édition: | American Physical Society |
| DOI: | 10.1103/physrevb.91.115201 |
| URL officielle: | https://doi.org/10.1103/physrevb.91.115201 |
| Date du dépôt: | 18 avr. 2023 15:07 |
| Dernière modification: | 05 avr. 2024 11:26 |
| Citer en APA 7: | St-Jean, P., Ethier-Majcher, G., & Francoeur, S. (2015). Dynamics of excitons bound to nitrogen isoelectronic centers in GaAs. Physical Review B, 91(11), 115201 (11 pages). https://doi.org/10.1103/physrevb.91.115201 |
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