P. St-Jean, G. Éthier-Majcher, Sébastien Francoeur
Article de revue (2015)
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Département:
Adresse URL de PolyPublie:
Titre de la revue
:
Physical Review B
(
vol.
91
,
no
11
)
Maison d'édition:
American Physical Society
URL officielle:
OAI:
oai:publications.polymtl.ca:34352
ORCID
Date du dépôt:
18 avr. 2023 15:07
Dernière modification:
14 oct. 2026 13:23
Citer en APA 7:
St-Jean, P., Éthier-Majcher, G., & Francoeur, S. (2015). Dynamics of excitons bound to nitrogen isoelectronic centers in GaAs. Physical Review B, 91(11), 115201 (11 pages). https://doi.org/10.1103/physrevb.91.115201
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