Rapid thermal annealing effect on near-surface stoichiometry of GaAs by heavy-ion Rutherford backscattering

G. Gagnon, A. Houdayer, John F. Currie, A. Azelmad

Commentaire ou lettre (1991)

Accéder à ce document
Lien externe
Ce document n'est pas archivé dans PolyPublie, mais peut être consulté chez l'éditeur officiel

Mots clés

Adresse URL de PolyPublie:
Titre de la revue :
Journal of Applied Physics ( vol. 70 , no 2 )
Maison d'édition:
American Institute of Physics
OAI:
oai:publications.polymtl.ca:82002
ORCID
Date du dépôt:
10 sept. 2026 16:06
Dernière modification:
14 oct. 2026 14:47
Citer en APA 7:
Gagnon, G., Houdayer, A., Currie, J. F., & Azelmad, A. (1991). Rapid thermal annealing effect on near-surface stoichiometry of GaAs by heavy-ion Rutherford backscattering [Commentaire ou lettre]. Journal of Applied Physics, 70(2), 1036-1038. https://doi.org/10.1063/1.349688

Statistiques

Dimensions

Actions réservées au personnel

Afficher document
Afficher document