Rapid thermal annealing effect on near-surface stoichiometry of GaAs by heavy-ion Rutherford backscattering

G. Gagnon, A. Houdayer, John F. Currie et A. Azelmad

Commentaire ou lettre (1991)

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Département:	Département de génie physique
URL de PolyPublie:	https://publications.polymtl.ca/82002/
Titre de la revue:	Journal of Applied Physics (vol. 70, no 2)
Maison d'édition:	American Institute of Physics
DOI:	10.1063/1.349688
URL officielle:	https://doi.org/10.1063/1.349688
Date du dépôt:	10 sept. 2026 16:06
Dernière modification:	10 sept. 2026 16:06

Citer en APA 7:	Gagnon, G., Houdayer, A., Currie, J. F., & Azelmad, A. (1991). Rapid thermal annealing effect on near-surface stoichiometry of GaAs by heavy-ion Rutherford backscattering [Commentaire ou lettre]. Journal of Applied Physics, 70(2), 1036-1038. https://doi.org/10.1063/1.349688
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