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Propriétés optoélectroniques d'hétérostructures de Ga(In)AsN

Stéphane Turcotte

PhD thesis (2008)

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Cite this document: Turcotte, S. (2008). Propriétés optoélectroniques d'hétérostructures de Ga(In)AsN (PhD thesis, École Polytechnique de Montréal). Retrieved from https://publications.polymtl.ca/8169/
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Abstract

Introduction et objectifs -- État des connaissances -- Techniques expérimentales et théoriques -- Calculs de la structure électronique d'alliage semi-conducteurs dilués III-V-N à l'aide d'un modèle de liaisons fortes empirique -- Mise en évidence de perturbations des bandes de valence dans le GaAsN -- Augmentation singulière du coefficient d'absorption avec l'incorporation d'azote dans les alliages GaAsN et GaInAsN -- Hétérostructures quantiques -- Discussion générale -- Conclusion, perspective et recommandations.

Uncontrolled Keywords

Hétérostructures; Nitrure de gallium; Gallium -- Composés; Dispositifs optoélectroniques

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Additional Information: Le fichier PDF de ce document a été produit par Bibliothèque et Archives Canada selon les termes du programme Thèses Canada https://canada.on.worldcat.org/oclc/541634107
Department: Département de génie physique
Date Deposited: 04 Aug 2021 11:04
Last Modified: 25 Aug 2021 14:58
PolyPublie URL: https://publications.polymtl.ca/8169/

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