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Le transport dans les puits quantiques d'InGaAs/InP contraints

Christian Trempe

Masters thesis (2006)

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Cite this document: Trempe, C. (2006). Le transport dans les puits quantiques d'InGaAs/InP contraints (Masters thesis, École Polytechnique de Montréal). Retrieved from https://publications.polymtl.ca/7837/
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Abstract

Croissance par metal-organic chemical vapor deposition -- Hétérostructures et hétérojunctions -- Bases et fondements théoriques -- Le transport dans les puits quantiques -- Un modèle simple pour l'anisotropie de la mobilité -- L'effet hall -- La magnétorésistance négative : dislocations et localisation faible -- La croissance par metal-organic chemical vapor deposition -- La caractérisation structurale -- La microfabrication -- La caractérisation des propriétés électriques -- La fabrication des hétérostructures -- Le transport dans les 2DEG -- La microfabrication des structures à effet de champ.

Uncontrolled Keywords

Puits quantiques; Semi-conducteurs -- Propriétés de transport; Arséniure de gallium; Phosphure d'indium; Effet Hall quantique

Open Access document in PolyPublie
Additional Information: Le fichier PDF de ce document a été produit par Bibliothèque et Archives Canada selon les termes du programme Thèses Canada https://canada.on.worldcat.org/oclc/275811825
Department: Département de génie physique
Date Deposited: 04 Aug 2021 11:05
Last Modified: 25 Aug 2021 14:58
PolyPublie URL: https://publications.polymtl.ca/7837/

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