Mémoire de maîtrise (2006)
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Mots clés
Puits quantiques; Semi-conducteurs -- Propriétés de transport; Arséniure de gallium; Phosphure d'indium; Effet Hall quantique
| Renseignements supplémentaires: | Le fichier PDF de ce document a été produit par Bibliothèque et Archives Canada selon les termes du programme Thèses Canada https://canada.on.worldcat.org/oclc/275811825 |
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| Département: | Département de génie physique |
| Directeurs ou directrices: |
Patrick Desjardins , Rémo A. Masut et Michael Hilke
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| URL de PolyPublie: | https://publications.polymtl.ca/7837/ |
| Université/École: | École Polytechnique de Montréal |
| Date du dépôt: | 04 août 2021 11:05 |
| Dernière modification: | 01 oct. 2024 10:47 |
| Citer en APA 7: | Trempe, C. (2006). Le transport dans les puits quantiques d'InGaAs/InP contraints [Mémoire de maîtrise, École Polytechnique de Montréal]. PolyPublie. https://publications.polymtl.ca/7837/ |
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