<  Retour au portail Polytechnique Montréal

Optical and structural properties of GaInP/InP quantum wells with strained barriers

A. Bensaada, J. L. Brebner, A. Chennouf, R. W. Cochrane, J. T. Graham, Richard Leonelli et Rémo A. Masut

Communication écrite (1993)

Un lien externe est disponible pour ce document
Département: Département de génie physique
Centre de recherche: GCM - Groupe de recherche en physique et technologie des couches minces
ISBN: 0780309936
URL de PolyPublie: https://publications.polymtl.ca/75502/
Nom de la conférence: International Conference on Indium Phosphide and Related Materials
Lieu de la conférence: Paris, France
Date(s) de la conférence: 1993-04-19 - 1993-04-22
Maison d'édition: Institute of Electrical and Electronics Engineers
DOI: 10.1109/iciprm.1993.380579
URL officielle: https://doi.org/10.1109/iciprm.1993.380579
Date du dépôt: 17 avr. 2026 10:35
Dernière modification: 17 avr. 2026 10:35
Citer en APA 7: Bensaada, A., Brebner, J. L., Chennouf, A., Cochrane, R. W., Graham, J. T., Leonelli, R., & Masut, R. A. (avril 1993). Optical and structural properties of GaInP/InP quantum wells with strained barriers [Communication écrite]. International Conference on Indium Phosphide and Related Materials, Paris, France. https://doi.org/10.1109/iciprm.1993.380579

Statistiques

Dimensions

Actions réservées au personnel

Afficher document Afficher document