Simen N. H. Eliassen, Jesper Friis, Inga G. Ringdalen, Normand Mousseau
, Mickaël Trochet, Yanjun Li
Article de revue (2019)
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Mots clés
Département:
Unité de recherche:
Organismes subventionnaires:
NOTUR consortium, Research Council of Norway
Numéro de subvention:
nn9158k, nn9347k, 255326
Adresse URL de PolyPublie:
Titre de la revue
:
Physical review. B
(
vol.
100
,
no
15
)
Maison d'édition:
American Physical Society
URL officielle:
OAI:
oai:publications.polymtl.ca:74701
ORCID
Date du dépôt:
03 août 2026 12:09
Dernière modification:
14 oct. 2026 14:36
Citer en APA 7:
H. Eliassen, S. N., Friis, J., Ringdalen, I. G., Mousseau, N., Trochet, M., & Li, Y. (2019). Atomistic approach to simulate kink migration and kink-pair formation in silicon: The kinetic activation-relaxation technique. Physical review. B, 100(15), 155305 (11 pages). https://doi.org/10.1103/physrevb.100.155305
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