Simen N. H. Eliassen, Jesper Friis, Inga G. Ringdalen, Normand Mousseau
, Mickaël Trochet et Yanjun Li
Article de revue (2019)
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| Département: | Département de génie physique |
|---|---|
| Centre de recherche: | RQMP - Regroupement québécois sur les matériaux de pointe |
| Organismes subventionnaires: | NOTUR consortium, Research Council of Norway |
| Numéro de subvention: | nn9158k, nn9347k, 255326 |
| URL de PolyPublie: | https://publications.polymtl.ca/74701/ |
| Titre de la revue: | Physical review. B (vol. 100, no 15) |
| Maison d'édition: | American Physical Society |
| DOI: | 10.1103/physrevb.100.155305 |
| URL officielle: | https://doi.org/10.1103/physrevb.100.155305 |
| Date du dépôt: | 03 août 2026 12:09 |
| Dernière modification: | 03 août 2026 12:09 |
| Citer en APA 7: | H. Eliassen, S. N., Friis, J., Ringdalen, I. G., Mousseau, N., Trochet, M., & Li, Y. (2019). Atomistic approach to simulate kink migration and kink-pair formation in silicon: The kinetic activation-relaxation technique. Physical review. B, 100(15), 155305 (11 pages). https://doi.org/10.1103/physrevb.100.155305 |
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