El Bachir Ndiaye, Karim Omambac, Sebastian Koelling, Eloïse Rahier, Simon Jean Michel, Oussama Moutanabbir
et Eva Dupont-Ferrier
Communication écrite (2025)
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| Département: | Département de génie physique |
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| URL de PolyPublie: | https://publications.polymtl.ca/72413/ |
| Nom de la conférence: | 10th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces (ISCSI-X), the International Conference on Silicon Epitaxy and International SiGe Technology and Device Meeting (ICSI/ISTDM 2025) |
| Lieu de la conférence: | Yokohama-shi, Kanagawa, Japan |
| Date(s) de la conférence: | 2025-11-10 - 2025-11-13 |
| Date du dépôt: | 10 févr. 2026 09:09 |
| Dernière modification: | 10 févr. 2026 09:14 |
| Citer en APA 7: | Ndiaye, E. B., Omambac, K., Koelling, S., Rahier, E., Michel, S. J., Moutanabbir, O., & Dupont-Ferrier, E. (novembre 2025). Sb Delta Doping of Isotopically Purified Epitaxial ²⁸Si for Nuclear High-Spin Qubits [Communication écrite]. 10th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces (ISCSI-X), the International Conference on Silicon Epitaxy and International SiGe Technology and Device Meeting (ICSI/ISTDM 2025), Yokohama-shi, Kanagawa, Japan. |
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