C. A. Tran, Rémo A. Masut, John Low Brebner et Richard Leonelli
Article de revue (1993)
Un lien externe est disponible pour ce document| Département: | Département de génie physique |
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| Centre de recherche: | GCM - Groupe de recherche en physique et technologie des couches minces |
| URL de PolyPublie: | https://publications.polymtl.ca/70714/ |
| Titre de la revue: | Applied Physics Letters (vol. 62, no 19) |
| Maison d'édition: | American Institute of Physics |
| DOI: | 10.1063/1.109369 |
| URL officielle: | https://doi.org/10.1063/1.109369 |
| Date du dépôt: | 22 déc. 2025 15:02 |
| Dernière modification: | 22 déc. 2025 15:02 |
| Citer en APA 7: | Tran, C. A., Masut, R. A., Brebner, J. L., & Leonelli, R. (1993). High-resolution x-ray diffraction to determine the self-limiting growth in atomic layer epitaxy of InP and InAs/InP heterostructures. Applied Physics Letters, 62(19), 2375-2377. https://doi.org/10.1063/1.109369 |
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