High-resolution x-ray diffraction to determine the self-limiting growth in atomic layer epitaxy of InP and InAs/InP heterostructures

Tran, C. A.; Masut, Rémo A.; Brebner, John Low; Leonelli, Richard; Tran, C. A.; Masut, Rémo A.; Brebner, John Low; Leonelli, Richard

High-resolution x-ray diffraction to determine the self-limiting growth in atomic layer epitaxy of InP and InAs/InP heterostructures

C. A. Tran, Rémo A. Masut , John Low Brebner, Richard Leonelli

Article de revue (1993)

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Mots clés

Département:

Département de génie physique

Unité de recherche:

GCM - Groupe de recherche en physique et technologie des couches minces

Adresse URL de PolyPublie:

https://publications.polymtl.ca/70714/

Titre de la revue :

Applied Physics Letters ( vol. 62 , no 19 )

Maison d'édition:

American Institute of Physics

DOI:

10.1063/1.109369

URL officielle:

https://doi.org/10.1063/1.109369

OAI:

oai:publications.polymtl.ca:70714

ORCID

Date du dépôt:

22 déc. 2025 15:02

Dernière modification:

14 oct. 2026 14:31

Citer en APA 7:

Tran, C. A., Masut, R. A., Brebner, J. L., & Leonelli, R. (1993). High-resolution x-ray diffraction to determine the self-limiting growth in atomic layer epitaxy of InP and InAs/InP heterostructures. Applied Physics Letters, 62(19), 2375-2377. https://doi.org/10.1063/1.109369

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