Growth of highly strained InAs/InP heterostructures by metalorganic chemical vapor deposition using tertiarybutylarsine

C. A. Tran, Rémo A. Masut, Pedro Cova et John Low Brebner

Article de revue (1992)

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Département:	Département de génie physique
Centre de recherche:	GCM - Groupe de recherche en physique et technologie des couches minces
URL de PolyPublie:	https://publications.polymtl.ca/70712/
Titre de la revue:	Applied Physics Letters (vol. 60, no 5)
Maison d'édition:	American Institute of Physics
DOI:	10.1063/1.106590
URL officielle:	https://doi.org/10.1063/1.106590
Date du dépôt:	22 déc. 2025 15:03
Dernière modification:	22 déc. 2025 15:03

Citer en APA 7:	Tran, C. A., Masut, R. A., Cova, P., & Brebner, J. L. (1992). Growth of highly strained InAs/InP heterostructures by metalorganic chemical vapor deposition using tertiarybutylarsine. Applied Physics Letters, 60(5), 589-591. https://doi.org/10.1063/1.106590
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