Damage profile of ion-implanted GaAs by x-ray photoelectron spectroscopy

Z. H. Lu, A. Azelmad, Yves Trudeau et Arthur Yelon

Article de revue (1989)

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Département:	Département de génie physique
Centre de recherche:	GCM - Groupe de recherche en physique et technologie des couches minces
URL de PolyPublie:	https://publications.polymtl.ca/70709/
Titre de la revue:	Applied Physics Letters (vol. 55, no 9)
Maison d'édition:	American Institute of Physics
DOI:	10.1063/1.101774
URL officielle:	https://doi.org/10.1063/1.101774
Date du dépôt:	22 déc. 2025 15:08
Dernière modification:	22 déc. 2025 15:08

Citer en APA 7:	Lu, Z. H., Azelmad, A., Trudeau, Y., & Yelon, A. (1989). Damage profile of ion-implanted GaAs by x-ray photoelectron spectroscopy. Applied Physics Letters, 55(9), 846-848. https://doi.org/10.1063/1.101774
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