Z. H. Lu, A. Azelmad, Yves Trudeau, Arthur Yelon
Article de revue (1989)
Accéder à ce document
Lien externe
Ce document n'est pas archivé dans PolyPublie, mais peut être consulté chez l'éditeur officiel
Mots clés
Département:
Unité de recherche:
Adresse URL de PolyPublie:
Titre de la revue
:
Applied Physics Letters
(
vol.
55
,
no
9
)
Maison d'édition:
American Institute of Physics
DOI:
URL officielle:
OAI:
oai:publications.polymtl.ca:70709
ORCID
Date du dépôt:
22 déc. 2025 15:08
Dernière modification:
14 oct. 2026 14:31
Citer en APA 7:
Lu, Z. H., Azelmad, A., Trudeau, Y., & Yelon, A. (1989). Damage profile of ion-implanted GaAs by x-ray photoelectron spectroscopy. Applied Physics Letters, 55(9), 846-848. https://doi.org/10.1063/1.101774
Statistiques
Dimensions
